[IDF 2012] Samsung và Hynix cùng giới thiệu RAM DDR4

    Leopard, Leopard 

    Có vẻ Hàn Quốc đang dẫn trước Mỹ về công nghệ DRAM.

    Có vẻ Hàn Quốc đang dẫn trước Mỹ về công nghệ DRAM.

    Dù Micron (Mỹ) đã từng công bố về việc làm ra được module nhớ DDR4, song không có hình ảnh thực tế nào của sản phẩm này. Trong khi đó tại sự kiện IDF 2012 của Intel vừa tổ chức tại San Francisco, hai hãng sản xuất DRAM lớn nhất nhì thế giới khác là Samsung và Hynix (đều thuộc Hàn) cùng lúc trình diễn trước giới công nghệ các sản phẩm DDR4 của mình. Dường như chuẩn nhớ thế hệ mới này sẽ được hoàn tất thông số kỹ thuật vào cuối năm nay hoặc đầu năm sau.

    idf-2012-samsung-va-hynix-cung-gioi-thieu-ram-ddr4
    Mẫu chip DRAM DDR4 của Samsung.

    Thoạt trông, các module DDR4 có kiểu dáng gần tương tự với module DDR2 với vị trí node phân cách nằm rất gần trung điểm giữa hai đầu cắm (DDR3 lệch gần hẳn về một bên). Các mẫu DDR4 mà cả Samsung và Hynix demo tại sự kiện này có vẻ chỉ tập trung cho server khi xuất hiện dưới dạng RDIMM hay UDIMM có kèm ECC với dung lượng rơi vào 8 - 16 GB (server cần dung lượng RAM cao).

    idf-2012-samsung-va-hynix-cung-gioi-thieu-ram-ddr4
    So sánh các chuẩn DIMM hiện có.

    Bộ nhớ DDR4 của Samsung được sản xuất trên tiến trình 30nm với dung lượng mỗi chip DRAM 4 Gb (gigabit). Không có thông tin thêm về phía Hynix nhưng dường như hãng này cũng dùng tiến trình 30nm hoặc nhỏ hơn (Hynix vừa ra mắt dòng sản phẩm DRAM mới dùng node bán dẫn cấp-20nm). Phiên bản DIMM của Hynix trình làng hoạt động ở tốc độ 2,4 GHz còn Samsung kém hơn khi chỉ đạt 2,133 GHz. Song theo lộ trình của Samsung, hãng này cũng sẽ có phiên bản 2,4 GHz vào năm sau, muộn hơn so với Hynix.

    idf-2012-samsung-va-hynix-cung-gioi-thieu-ram-ddr4
    idf-2012-samsung-va-hynix-cung-gioi-thieu-ram-ddr4
    Module DDR4 của Samsung ở trên và Hynix ở dưới.

    Tiêu chuẩn kỹ thuật của DDR4 hiện vẫn chưa được chính thức thông qua. Nhưng dựa trên những gì mà các NSX DRAM đang thể hiện, ngày JEDEC công bố về DDR4 có lẽ không còn xa nữa. Dự kiến bộ nhớ DDR4 sẽ hoạt động ở mức điện áp 1,2 V, thấp hơn mức 1,5 V hiện nay của DDR3, hứa hẹn sẽ tiết kiệm điện hơn nhất là khi triển khai cho các datacenter dùng từ vài trăm đến vài ngàn thanh DIMM.

    idf-2012-samsung-va-hynix-cung-gioi-thieu-ram-ddr4
    idf-2012-samsung-va-hynix-cung-gioi-thieu-ram-ddr4
    Wafer và lộ trình giới thiệu DDR4 của Samsung.

    Nhiều khả năng DDR4 sẽ chỉ được triển khai trước đối với server vì chúng có nhu cầu lớn về băng thông nhớ. Các dòng sản phẩm điện tử tiêu dùng như PC, tablet sẽ chậm chuyển sang DDR4 hơn do DDR3 hiện đã đáp ứng khá thừa nhu cầu của người tiêu dùng.

    Tổng hợp.
    Tin cùng chuyên mục
    Xem theo ngày