Samsung sản xuất bộ nhớ flash 3D
Bộ nhớ mới cho độ ổn định và hiệu năng cao hơn so với chip flash 10 nm hiện nay của Samsung.
Samsung mới đây vừa công bố một bước tiến mới trong công nghệ sản xuất bộ nhớ flash của họ. Hãng công nghệ Hàn Quốc cho biết họ bắt đầu sản xuất đại trà dòng "bộ nhớ flash NAND 3D dọc", hay viết tắt là V-NAND. Sự đột phá của công nghệ này là các thành phần của chip nhớ không còn được bố trí theo cấu trúc 2 chiều như trước nữa mà Samsung đã chồng dọc các cell nhớ, nhờ công nghệ Charge Trap Flash. Nhờ công nghệ mới của Samsung, các chip nhớ có thể chứa 24 lớp cell được xếp chồng, giúp tăng dung lượng bộ nhớ dễ dàng.
Cấu trúc này giúp cho bộ nhớ flash có độ ổn định và tốc độ (hiệu năng) cao hơn. Samsung cho biết thế hệ bộ nhớ V-NAND đầu tiên sẽ cho độ ổn định cao hơn từ 2 đến 10 lần, còn tốc độ ghi dữ liệu sẽ cao hơn 2 lần so với các bộ nhớ flash hiện nay của họ (được sản xuất trên tiến trình công nghệ 10 nm).
NỔI BẬT TRANG CHỦ
Xe điện Xiaomi SU7 chính thức ra mắt: Trang bị "khủng" nhất phân khúc, giá từ 740 triệu đồng
Xiaomi SU7 là mẫu xe điện đầu tiên của Xiaomi với nhiều điểm nhấn trong thiết kế nội và ngoại thất, vận hành, công nghệ tự lái và đương nhiên là mức giá.
Cập nhật lên iOS 17.4, dòng iPhone này bất ngờ được mở khóa tính năng phần cứng