Chip Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro lộ xung nhịp 5 GHz, thậm chí có thể lên tới 6 GHz như máy tính bàn

Qualcomm được cho là đang chuẩn bị hai phiên bản cho dòng chip flagship thế hệ tiếp theo của mình, bao gồm Snapdragon 8 Elite Gen 6 tiêu chuẩn và một biến thể cao cấp hơn mang tên Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro . Theo một tin đồn mới xuất hiện, phiên bản Pro có thể đạt mức xung nhịp tiệm cận các bộ xử lý dành cho máy tính để bàn, đánh dấu một bước tiến đáng chú ý về hiệu năng di động.

Nguồn tin đến từ một bài đăng trên Weibo của leaker Fixed Focus Digital, cho biết các thử nghiệm ban đầu với con chip mới của Qualcomm đã ghi nhận mức xung nhịp đạt 5 GHz. Không dừng lại ở đó, người này còn cho rằng mức trần lý thuyết của Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro có thể nằm trong khoảng từ 5,5 GHz đến 6,0 GHz!

Bước nhảy về xung nhịp được cho là có liên quan trực tiếp đến việc áp dụng công nghệ HBP, viết tắt của Heat Pass Block. Đây là một giải pháp tản nhiệt do Samsung phát triển cho chip Exynos 2600, cho phép tích hợp trực tiếp một khối tản nhiệt vào bên trong gói chip. Nhờ đó, nhiệt lượng sinh ra từ các nhân xử lý có thể được dẫn và phân tán hiệu quả hơn, tạo điều kiện để chip duy trì mức xung cao hơn trong quá trình hoạt động.

Để so sánh, Snapdragon 8 Elite Gen 5 hiện tại có xung nhịp tối đa vào khoảng 4,61 GHz trên các nhân hiệu năng, với một số biến thể độc quyền cho Galaxy được đồn đoán là có mức xung nhỉnh hơn đôi chút. Việc vượt qua mốc 5 GHz sẽ là một cột mốc quan trọng đối với chip di động, ngay cả khi những mức xung này có thể khó duy trì liên tục trong điều kiện sử dụng thực tế.

Bên cạnh giải pháp tản nhiệt, một yếu tố khác được cho là góp phần giúp Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro đạt xung cao hơn là việc Qualcomm có thể chuyển sang sử dụng tiến trình 2 nm N2P mới của TSMC. Tiến trình này được kỳ vọng mang lại hiệu quả năng lượng tốt hơn, đồng thời cho phép chip đạt tần số hoạt động cao hơn so với các thế hệ trước.