iPhone 6 và 6 Plus 128 GB bị nghi ngờ lỗi bộ nhớ

Theo Business Korea, nguyên nhân dẫn đến các lỗi trên có thể do bộ nhớ TLC NAND. Nhiều khả năng Apple sẽ phải thu hồi toàn bộ số iPhone 6 này. Tuy nhiên, trang 9to5mac khẳng định, lỗi trên iPhone 6 hoàn toàn không liên quan đến bộ nhớ NAND flash.

Cùng quan điểm với 9to5mac, trang Digitimes cũng đăng tải bài viết mới và cho rằng hệ thống điều khiển bộ nhớ không thể là nguyên nhân dẫn đến các lỗi mà iPhone 6, 6 Plus vừa gặp phải. Nguồn tin này còn khẳng định bộ nhớ TLC NAND trước khi chính thức được sử dụng đã trải qua thủ tục kiểm tra nghiêm ngặt của Apple.

Digitimes cho biết, bộ nhớ của TLC rẻ hơn và tốc độ đọc, ghi dữ liệu chậm hơn so với các loại bộ nhớ khác như SLC hay MLC. Do đó, việc sử dụng loại bộ nhớ này cho iPhone 6 được xem là một quyết định táo bạo của Apple. Hiện Apple đang sử dụng bộ nhớ TLC NAND cho các phiên bản 128 GB của iPhone và iPad. Các phiên bản còn lại vẫn tiếp tục dùng bộ nhớ MLC NAND.

Trong khi đó, Apple vẫn chưa đưa ra lời giải thích thỏa đáng về những lỗi trên iPhone 6 bản 128 GB. Rất có thể “Quả táo”, sẽ không triệu hồi lô hàng này vì chỉ có một số ít người dùng gặp sự cố.

Theo Zing

>>Smartphone giống hệt iPhone 6 của Lenovo ra mắt, giá 330 USD