Ép xung SSD: Được nhiều, rủi ro cũng không ít

Theo đúng lịch trình, thông tin chi tiết cũng như diễn đàn và hội thảo về các mẫu SSD mới với khả năng ép xung sẽ được Intel tổ chức vào trung tuần cho đến cuối tháng 9 này. Nhưng ngay những ngày cuối tháng 8 vừa rồi, khách tham quan hội chợ PAX Prime (hội chợ công nghệ gaming tổ chức tại Seattle từ 30/8 đến 2/9) đã có dịp chiêm ngưỡng kết quả ép xung của một số mẫu SSD đến từ hãng công nghệ này.

 

Theo như các thông tin có được cho đến thời điểm hội chợ, Intel đang có ý tưởng tạo ra một dòng ổ cứng thể rắn với mã sản phẩm “K”. Những ai đã quen thuộc với mã sản phẩm CPU của Intel chắc hẳn sẽ dễ dàng nhận ra ý nghĩa của chữ “K” này. Nó được đặt trên các mẫu CPU đã được hãng mở khóa hệ số nhân sẵn, cho phép người sử dụng thực hiện thao tác ép xung dễ dàng hơn. Và giờ đây, chúng ta sắp được chứng kiến dòng sản phẩm SSD K-series. Đồng nghĩa với việc người dùng sẽ có cơ hội nghịch ngợm với xung của các controller trên SSD, thậm chí là tốc độ bus của các bộ nhớ NAND Flash.

Một số hãng sản xuất khác cũng từng tung ra thị trường các mẫu SSD gán mác “overclocked”, với các mức xung ép sẵn khác nhau. Nhưng đây là lần đầu tiên người dùng cuối được tự tay thực hiện thao tác này.

 

Theo như các hình ảnh mà phóng viên trang Legitreview thu được, Intel đã thêm giao diện ép xung SSD vào bộ công cụ Intel Extreme Tuning Utility (XTU) của hãng. Hiện nay XTU vốn đã được khá nhiều người dùng ưa chuộng do cung cấp khả năng tác động đến nhiều thành phần khác nhau của hệ thống chỉ trong một gói phần mềm. Với bổ sung mới nhất này, độ phổ biến của sản phẩm này chắc chắn sẽ còn tăng lên.

 

Mã sản phẩm mà Intel sử dụng trong buổi quảng cáo là SSDSC2BB480G4 : BTWL3070050Z480QGN. Phần đầu tiên gợi ý rằng đây là một sản phẩm thuộc phân khúc cao cấp chuyên cung cấp cho các doanh nghiệp (DC S3500 Series 480GB, công nghệ NAND Flash MLC 20nm), nhưng nhìn chung đây mới chỉ là một bản mẫu để hãng này trình diễn thành quả của mình tại buổi hội chợ. Thông tin duy nhất mà các nhân viên Intel cung cấp tại đây là dung lượng 480GB của chiếc ổ, dù rằng hiển nhiên khi chính thức đưa vào sản xuất chúng ta sẽ được tiếp cận các mức dung lượng khác nhau.

Tại thời điểm hiện tại, mới chỉ có 2 thông số có thể được tùy biến (dù rằng có thể Intel sẽ bổ sung các chức năng khác trong thời gian tới). Thứ nhất là clock speed của các controller, với mức mặc định khởi điểm là 400MHz và mức tối đa mà ta có thể điều chỉnh khi sử dụng XTU là 625MHz – tương đương với 56.25%. Thứ hai là tốc độ của các chip nhớ NAND, với khả năng tăng từ mức mặc định 83MHz lên 100MHz.

 

 

Trên đây là tốc độ benchmark sử dụng AS SSD Benchmark với các cấu hình mặc định (controller 400MHz và NAND chip 83MHz), hiển thị dưới 2 dạng đơn vị khác nhau là iops (Input/Output Operations Per Second) và MBs. Nhìn vào mốc đơn vị quen thuộc MBs, ta dễ dàng nhận thấy tốc độ đọc/ghi tuần tự mặc định vốn đã khá cao của ổ cứng này, lần lượt là 474.27 và 400.82.

 

Đẩy tốc độ controller lên 625MHz và giữ nguyên các chip nhớ NAND ở mức 83MHz, ta dễ dàng nhận thấy thay đổi trong tốc độ đọc/ghi tuần tự. Điểm benchmark tổng thế tăng từ 918 lên 1050, tương đương với 14% cải thiện về mặt hiệu năng, chưa hẳn là quá cao, nhưng cũng đã là đáng kể, bởi ta mới chỉ thay đổi tốc độ controlller.

 

Tiếp tục giữ nguyên mức 625MHz trên controller và đẩy tốc độ các NAND flash lên 100MHz. Có vẻ như thao tác này cải thiện tốc độ đọc/ghi tuần tự tốt hơn so với việc ép xung controller. Tốc độ đọc tăng lên 493.38 MBs so với mức mặc định 474.27 MBs (4%). Tốc độ ghi thậm chí còn được cải thiện tốt gấp đôi – tăng 8% từ 400.82 MBs lên 431.32 MBs. Điểm benchmark tổng thể lúc này đạt 1066, tức tăng 16.1%.

 

Xét đến hiệu năng đọc/ghi 4K-64Thrd sử dụng đơn vị IOPS, mức tăng cũng ấn tượng không kém với 19% cho tốc độ đọc (từ 75177 lên 89261) và 22% cho tốc độ ghi (từ 61364 lên 74932 IOPS).

 

Sau buổi giới thiệu, khách tham quan được mời điền vào một bản khảo sát. Nhìn chung, thao tác ép xung bao giờ cũng đi kèm với các rủi ro. Khi nói đến thiết bị lưu trữ, đặc biệt là với phương pháp lưu trữ trên các cell nhớ của SSD, tình huống xấu nhất là ta sẽ thu về được một “cục gạch” theo mọi nghĩa của nó sau khi thực hiện ép xung và mất trắng toàn bộ dữ liệu. Còn những vọc sĩ ít đen đủi nhất có lẽ sẽ chỉ dừng ở một vài lần BSOD (màn hình xanh) hay hỏng HĐH, hay một phần dữ liệu nói chung. Ngoài ra, trên SSD thì ngoài các rủi ro về hỏng hóc, khi nhìn vào bảng khảo sát ta có thể thấy việc giảm tuổi thọ là điều gần như chắc chắn. Chính vì vậy Intel có vẻ muốn biết giới gamer thủ và những người đến tham dự PAX Prime nghĩ gì về sự đánh đổi giữa tốc độ/tuổi thọ này trước khi hoạch định kế hoạch chi tiết hơn.

Tham khảo:legitreviews