Đây sẽ là một trong những cải tiến đáng giá nhất của Galaxy Note 10.
Samsung hứa hẹn sẽ thực hiện rất nhiều nâng cấp đáng giá trên chiếc Galaxy Note 10 sắp tới, trong đó sẽ có bộ nhớ UFS 3.0 với tốc độ đọc ghi dữ liệu được cải thiện đáng kể. Tuy nhiên bên cạnh đó sẽ có một nâng cấp khác độc quyền từ Samsung, có liên quan đến công nghệ sạc pin.
Trước đây đã từng có một số thông tin rò rỉ tiết lộ rằng Samsung sẽ trang bị sạc nhanh 25W cho Galaxy Note 10. Nhưng Ice Universe lại cho biết Galaxy Note 10 sẽ hỗ trợ công nghệ sạc nhanh tiên tiến hơn nhiều. Và sạc nhanh sẽ không còn là nhược điểm của Samsung nữa, thay vào đó sẽ là một ưu điểm cạnh tranh với tất cả các đối thủ khác.
Một nguồn tin khác của Forbes mới đây tiếp tục xác nhận tin đồn này, cho rằng Samsung sẽ cải thiện đáng kể tốc độ sạc pin trên Galaxy Note 10. Nguồn tin này cũng kỳ vọng Galaxy Note 10 sẽ hỗ trợ sạc nhanh lên tới 50W.
Trong khi Galaxy S10 hiện tại mới chỉ hỗ trợ bộ sạc 15W, có thể thấy đây sẽ là một cải tiến đáng kể trên Galaxy Note 10. Công nghệ sạc nhanh của Samsung có thể sẽ tương đương với SuperVOOC của OPPO, sạc đầy từ 0 đến 100% pin chỉ trong vòng 35 phút.
Tuy nhiên đây mới chỉ là những thông tin rò rỉ, chưa có bất kỳ xác nhận chính thức nào từ phía Samsung. Nhưng nếu những cải tiến này trở thành hiện thực, Galaxy Note 10 chắc chắn sẽ là chiếc smartphone đáng chú ý nhất trong năm nay.
Tham khảo: forbes
NỔI BẬT TRANG CHỦ
Sự thật từ nghiên cứu khoa học: Chơi trò chơi điện tử có ảnh hưởng bất ngờ đến chỉ số IQ của trẻ em!
Trò chơi điện tử từ lâu đã là chủ đề gây tranh cãi khi nhắc đến ảnh hưởng của chúng đối với trẻ em. Trong khi nhiều ý kiến chỉ trích việc chơi game có thể gây hại cho sự phát triển trí não, thì một nghiên cứu khoa học đã mang đến cái nhìn khác biệt, cho thấy mối liên hệ tích cực giữa việc chơi game và sự gia tăng trí thông minh ở trẻ nhỏ.
Những tiểu tiết bạn có thể đã bỏ qua trong trailer The Witcher 4
