Galaxy S26 Ultra sẽ nhanh hơn rất nhiều, nhưng không phải nhờ Snapdragon 8 Elite 2

Samsung được cho là sẽ nâng cấp hiệu năng của Galaxy S26 Ultra không chỉ nhờ chip thế hệ mới, mà còn thông qua công nghệ RAM tiên tiến nhất hiện nay. Theo nguồn tin từ leaker Ice Universe, mẫu flagship này sẽ sử dụng bộ nhớ LPDDR5X tốc độ tối đa 10,7 Gbps, do Micron sản xuất trên tiến trình 1γ (1-gamma).

So với Galaxy S25 Ultra dùng LPDDR5X trên tiến trình 1β (1-beta) của Micron với tốc độ tối đa 9,6 Gbps, bản nâng cấp này mang lại cả tốc độ nhanh hơn lẫn hiệu quả năng lượng tốt hơn. Micron khẳng định RAM LPDDR5X 1γ hiện là loại nhanh nhất trong ngành, đặc biệt tối ưu cho các tác vụ AI và ứng dụng xử lý dữ liệu nặng, giúp thiết bị phản hồi nhanh và trả kết quả gần như tức thì.

Không chỉ tăng tốc độ, loại RAM mới còn tiết kiệm điện hơn khoảng 20% so với thế hệ trước, hứa hẹn kéo dài thời lượng pin cho S26 Ultra. Kích thước module RAM mỏng chỉ 0,61 mm, giúp giải phóng thêm không gian bên trong máy. Khoảng trống này có thể được Samsung tận dụng để tích hợp cảm biến camera lớn hơn hoặc pin dung lượng cao hơn.

Ngoài Micron, Samsung cũng có thể cân nhắc sử dụng LPDDR5X tốc độ 10,7 Gbps do chính mình sản xuất, vốn được công bố từ năm ngoái trên tiến trình 12 nm. Dù chọn nhà cung cấp nào, người dùng đều sẽ nhận được lợi ích tương tự về tốc độ, mức tiêu thụ điện và khả năng tiết kiệm diện tích.

Năm ngoái, Samsung từng gặp một số vấn đề về quá nhiệt với LPDDR5X tự sản xuất, dẫn đến việc 60% thiết bị Galaxy S25 dùng RAM của Micron. Tuy nhiên, hãng được cho là đã khắc phục xong lỗi quy trình và tiếp tục thử nghiệm để đảm bảo ổn định cho thế hệ mới.

Bên cạnh nâng cấp RAM và chip xử lý, Galaxy S26 Ultra dự kiến có thiết kế cải tiến và mỏng hơn. Với những thay đổi này, Samsung kỳ vọng mẫu flagship mới sẽ tiếp nối thành công của S25 Ultra, đồng thời tạo lợi thế cạnh tranh mạnh mẽ trong phân khúc cao cấp.