iPhone 7 sẽ hoạt động nhanh hơn nhờ bộ nhớ thế hệ mới

Vừa qua, Toshiba và SanDisk đã chính thức công bố bộ nhớ NAND Flash 256 gigabit đầu tiên với dung lượng 32 GB, được sản xuất trên 48 lớp BiCS 3D. Đây là công nghệ bộ nhớ Flash thế hệ mới tiên tiến, ưu việt hơn hẳn so với các con chip bộ nhớ hiện nay cả về tốc độ lẫn khả năng tiêu thụ điện.

Được sản xuất dựa trên kiến trúc 15 nm, thế hệ bộ nhớ mới có thể chứa được gấp đôi dung lượng so với bộ nhớ hiện tại khi ở cùng 1 kích thước. Ngoài ra, do sử dụng công nghệ BiCS 3D nên bộ nhớ mới của Toshiba và Sandisk sẽ cho tốc độ truyền tải dữ liệu nhanh, an toàn hơn so với công nghệ 2D truyền thống. Trong khi đó, khả năng tiêu thụ điện của bộ nhớ này cũng được cho là tiết kiệm điện năng hơn dù cho các hãng sản xuất không thông báo chi tiết.

Toshiba và Sandisk không chỉ là người khổng lồ ở công nghệ chip nhớ Flash mà còn là đối tác lớn của Apple. Theo dự kiến, những lô hàng mẫu đầu tiên của công nghệ bộ nhớ mới này sẽ được thương mại hóa trong tháng tới. Do đó, chắc chắn chúng sẽ không thể xuất hiện trên iPhone của năm nay. Tuy nhiên, nó cũng rất hứa hẹn và dấy lên những kỳ vọng về đột phá về tốc độ trên iPhone 7 ra mắt trong năm sau.