Samsung Galaxy Note 6 có thể sẽ được trang bị bộ nhớ 256GB, tốc độ nhanh gấp đôi ổ SSD

Galaxy S7 và S7 edge vừa ra mắt đã được Samsung đem trở lại tính năng thẻ nhớ ngoài microSD. Tuy nhiên người dùng lại không thể cài ứng dụng và game trên thẻ nhớ ngoài, thay vào đó chỉ có thể dùng để chứa ảnh, nhạc và video. Chính vì vậy mà dung lượng bộ nhớ trong vẫn là một vấn đề mà người sử dụng rất quan tâm.

Mới đây, Samsung đã công bố chip nhớ 256GB sử dụng định dạng UFS 2.0 mới nhất của mình. Và rất có thể chip nhớ này sẽ được trang bị trên Galaxy Note 6 và Galaxy S7 edge , trở thành smartphone đầu tiên của Samsung có bộ nhớ 256GB.

Với định dạng UFS 2.0, chip nhớ 256GB mới nhất của Samsung sẽ có tốc độ đọc ghi vượt trội. Tốc độ đọc lên đến 850 MB/s và ghi lên đến 260 MB/s, cao gấp đôi các ổ SSD của máy tính và gấp 3 lần tốc độ thẻ nhớ microSD cao cấp hiện nay. Thậm chí nó có thể đọc và ghi đồng thời.

Trước đó, Samsung đã từng giới thiệu chip nhớ UFS 2.0 dung lượng 128GB đầu tiên của mình cùng với chiếc smartphone Galaxy S6. Cho đến bộ đôi Galaxy S7 và S7 edge vừa mới ra mắt, Samsung vẫn sử dụng lại chip nhớ này.

Đây thực sự là điều đáng tiếc, khi Samsung lại ra mắt chip nhớ mới của mình sau Galaxy S7 và S7 edge. Chính vì vậy mà có lẽ người hâm mộ sẽ phải chờ đợi cho đến khi Galaxy Note 6 được ra mắt, để có thể sở hữu bộ nhớ trong lên đến 256GB.

Galaxy S7 edge là phiên bản phablet của S7 edge, rất có thể sẽ được ra mắt cùng với Galaxy Note 6 giống như năm ngoái. Do đó, chúng ta cũng có thể hy vọng Galaxy S7 edge cũng sẽ được trang bị bộ nhớ trong tối đa lên đến 256GB. Thỏa mát cơn khát bộ nhớ của người sử dụng smartphone hiện nay.

Tham khảo: phonearena