Samsung phát triển thành công bộ nhớ MRAM với tốc độ nhanh gấp 100.000 lần bộ nhớ thể rắn NAND

Samsung đã hợp tác cùng với IBM để nghiên cứu và phát triển công nghệ bộ nhớ mới, với tốc độ nhanh nhất thế giới hiện nay. Công nghệ bộ nhớ mới này được gọi là Magnetoresistive RAM, hay được viết tắt là MRAM.

Bộ nhớ MRAM sử dụng công nghệ truyền tải mô-men xoắn để đọc và ghi dữ liệu với tốc độ nhanh gấp 100.000 lần bộ nhớ thể rắn NAND flash trong các ổ SSD. Dữ liệu vẫn sẽ được lưu trữ ngay cả khi không cung cấp nguồn điện.

Samsung cho biết bộ nhớ MRAM mới sẽ được trang bị cho các thiết bị di động, Internet of Things với khả năng tiết kiệm điện năng tối đa. Bộ nhớ này chỉ sử dụng điện năng khi đọc và ghi dữ liệu, còn lại sẽ không cần tới nguồn điện cung cấp liên tục như bộ nhớ DRAM.

Tuy nhiên quá trình sản xuất bộ nhớ MRAM vẫn đang gặp một số khó khăn, do đó số lượng các bộ nhớ MRAM đầu tiên được ra mắt sẽ bị hạn chế. Sẽ chỉ có nhà sản xuất chip NXP được phép sử dụng bộ nhớ MRAM mới trên các thiết bị IoT hoặc một số vi điều khiển của mình.

Sau khi được cải thiện quá trình sản xuất, bộ nhớ MRAM sẽ được trang bị cho smartphone và các thiết bị di động khác.

Samsung sẽ giới thiệu chính thức bộ nhớ MRAM tại sự kiện Samsung Foundry Forum, diễn ra vào ngày 24 tháng 5 sắp tới. Lúc đó, chúng ta sẽ có thêm nhiều thông tin hơn về công nghệ bộ nhớ mới này của Samsung.

Tham khảo: sammobile