Snapdragon 8 Elite Gen 2 lộ điểm benchmark đầu tiên

Qualcomm từ lâu đã là cái tên thống trị trong ngành chip xử lý dành cho thiết bị Android. Hầu hết các thương hiệu Android cao cấp đều chọn nhà cung cấp đến từ Bắc Mỹ này để trang bị “bộ não” cho smartphone và tablet đầu bảng của họ. Dòng chip Snapdragon 8 Elite là một sự tái định vị đáng chú ý trong phân khúc cao cấp của Qualcomm. Giờ đây, những điểm hiệu năng đầu tiên của thế hệ kế nhiệm – Snapdragon 8 Elite Gen 2 – đã bị rò rỉ.

Dù Qualcomm vẫn còn khá lâu nữa mới chính thức công bố Snapdragon 8 Elite Gen 2 (dự kiến vào quý III/2025), kỳ vọng đang rất cao sau cú nhảy vọt về sức mạnh lẫn hiệu suất năng lượng mà Snapdragon 8 Elite mang lại. Thành tích này phần lớn nhờ vào việc tích hợp nhân Oryon tùy biến – thứ mà chính công ty thiết kế kiến trúc chip ARM từng bức xúc đến mức đưa Qualcomm ra tòa.

CPU tăng hiệu năng đơn nhân tới 25%

Theo leaker đáng tin cậy Jukanlosreve, con chip Snapdragon 8 Elite Gen 2 (mã SM8850) đã xuất hiện trong bài test Geekbench 6 với kết quả khá ấn tượng: khoảng 4.000 điểm đơn nhân và 13.000 điểm đa nhân. Nếu đúng, đây sẽ là bước nhảy 25% về hiệu năng đơn nhân và 20% về hiệu năng đa nhân so với thế hệ trước.

Ngoài ra, rò rỉ cũng cho biết GPU tích hợp sẽ là Adreno 840, chạy ở xung nhịp tối đa 1.35GHz – tăng nhẹ so với Adreno 830 của Snapdragon 8 Elite hiện tại (1.1GHz).

Dù mức tăng hiệu năng khá ấn tượng, giới chuyên gia cho rằng đây sẽ không phải là cú đột phá như Snapdragon 8 Elite đời đầu. Nguyên nhân là bởi Gen 1 đánh dấu cả hai thay đổi lớn: nhân Oryon mới và quy trình sản xuất 3nm tiên tiến. Trong khi đó, Snapdragon 8 Elite Gen 2 vẫn sử dụng nhân Oryon và duy trì tiến trình 3nm. Nói cách khác, Qualcomm đang tinh chỉnh tối ưu hóa thay vì làm lại từ đầu.

Được biết, Snapdragon 8 Elite Gen 3 sẽ chuyển sang tiến trình 2nm vào năm 2026 – đó mới có thể là cuộc cách mạng hiệu năng thực sự tiếp theo.