Toshiba, SanDisk bắt đầu sản xuất bộ nhớ flash NAND công nghệ 15 nm tiên tiến

Sau một thời gian dài hợp tác trong nghiên cứu và sản xuất, vừa qua Toshiba và SanDisk đã công bố thành tựu mới nhất của mình: công nghệ xử lí 15 nanomet trên các bộ xử lí NAND flash. Một khi quá trình sản xuất được bắt đầu tại khu tổ hợp sản xuất của Toshiba đặt tại thành phố Yokkaichi, Nhật Bản - thành tựu tân tiến nhất trong mảng công nghệ bộ nhớ flash này được dự đoán là sẽ sớm thay thế thế hệ bộ nhớ 19nm hiện đang được sử dụng rộng rãi trong các smartphone và tablet hiện đại.

“Công nghệ xử lí” ở đây nhằm nói tới phương pháp sản xuất và kích thước con chip. Bộ nhớ NAND flash vốn là loại phương tiện lưu trữ không yêu cầu phải có điện năng mới lưu giữ được dữ liệu. Kĩ thuật sản xuất này sẽ được áp dụng cho các bộ nhớ NAND 128 gigabit (16GB), với mật độ 2 bit/cell, Toshiba cho biết.

Theo như Toshiba, các con chip được sản xuất trên nền tảng công nghệ mới này sẽ có thiết kế hệ mạch ngoại biên tân tiến hơn. Với giao diện truyền tải tốc độ cao, tốc độ truyền tải dữ liệu ở mức lý thuyết là 533 megabits/giây – tức nhanh hơn 1,3 lần so với các chip nhớ sử dụng công nghệ 19nm trước kia.

Thế hệ sản phẩm dựa trên dây chuyền sản xuất 15nm đầu tiên sẽ được bắt đầu sản xuất tại tổ hợp Yokkaichi vào cuối tháng 4 này, tức là ngay thời điểm các tin tức này được công bố tới giới truyền thông.

"Toshiba hiện cũng đang nghiên cứu ứng dụng công nghệ 15nm cho các chip với mật độ 3 bits/cell, dự kiến bắt đầu sản xuất số lượng lớn vào khoảng tháng 6 năm nay”. Phát ngôn viên của Toshiba cho biết thêm. “Chúng tôi sẽ đồng thời phát triển các bộ điều khiển (controller) cho bộ nhớ NAND flash tích hợp và công bố các sản phẩm bộ nhớ 3 bits/cell cho smartphone, tablet; và dĩ nhiên theo sau đó là cả các bộ điều khiển cho SSD để cải thiện hiệu năng cho các notebook PC.”

Trong tuyên bố riêng của mình, SanDisk cho biết “Công nghệ 15nm sẽ được ứng dụng trong lượng lớn các giải pháp của SanDisk, từ các bộ nhớ gắn ngoài cho người dùng cuối cho tới các SSDs chuyên dụng cho doanh nghiệp”.

"Chúng tôi rất vui mừng được thông báo vị thế dẫn đầu của mình qua việc thành công với thế hệ công nghệ xử lí bộ nhớ flash mới nhất, cho phép SanDisk cung cấp tới thế giới những chip 128 gigabits có giá thành và hiệu năng tốt nhất”. Tiến sĩ Siva Sivaram, phó giám đốc công nghệ của SanDisk phát biểu. “Những con chip mới nhất này sẽ cho phép chúng tôi tiếp tục mở rộng và cải tiến danh sách các sản phẩm trên nền bộ nhớ NAND flash của mình”.

Công ty này cho biết kiến truc All-Bit-Line (ABL) của mình chưa đựng bên trong rất nhiều thuật toán và cơ chế lưu trữ độc quyền của hãng, giúp nâng cấp và không gian lưu trữ mà không phải hi sinh một chút nào các phương diện hiệu năng hay độ tin cậy.

Tham khảo: PCWorld