Con chip Qualcomm Snapdragon 835 – tên mã là MSM8998 – dự kiến sẽ được sử dụng cho phiên bản Galaxy S8 và S8 Plus phát hành tại thị trường Mỹ. Qualcomm phát triển con chip 8 lõi này không chỉ với mục tiêu mang đến khả năng xử lí mạnh mẽ mà còn sử dụng điện năng tối ưu nhất. Con chip này được sản xuất dựa trên quy trình 10nm nên có khả năng xử lí mượt các nội dung AR (tăng cường thực tế) và AR (thực tế ảo).
Kết quả test hiệu suất sơ bộ Qualcomm Snapdragon 835 vừa xuất hiện trên Geekbench. Thiết bị tham chiếu dùng trong thử nghiệm có RAM 4 GB, chạy Android Nougat và tất nhiên là được gắn chip Snapdragon 835.
Kết quả, Snapdragon 835 với xung nhịp 1.9 GHz (thông số chính thức mà Qualcomm công bố cho chip Snapdragon 835 là 4 lõi 2.45 GHz và 4 lõi 1.9 GHz) đạt được 2004 điểm cho phần test lõi đơn và 6233 điểm ở phần thử nghiệm đa lõi. Thông số này không cao hơn nhiều so với con chip Snapdragon 820 (1.6 GHz) trên Galaxy S7 (đạt 1785 điểm trong phần test đơn lõi).
Tuy nhiên, đây chỉ mới là kết quả kiểm tra sơ bộ khi các thông số như tốc độ xung nhịp, đồ họa và tối ưu vẫn chưa được đẩy lên mức cao nhất. Nhiều khả năng, khi chạy hết công suất, chip Snapdragon 835 trên Galxy S8 sẽ cho điểm số benchmark cao hơn những con số trước mắt nhiều lần.
Tham khảo: PhoneArena