Chip di động 10 nm của Samsung dựa trên nhân Ananke của ARM, có thể xuất hiện trên Galaxy S7

Các tin tức mới nhất từ nguồn thân cận với Samsung là SamMobile đã vừa cho biết hãng điện thoại Hàn Quốc đang nỗ lực phát triển thế hệ vi xử lý di động mới, sản xuất trên quy trình 10 nm. Dự kiến, bản thử nghiệm của con chip này có thể xuất hiện vào năm sau. Hơn thế nữa, có khả năng vi xử lý tiên tiến này sẽ góp mặt trên flagship Galaxy S7.

Loại chip mới của Samsung được thiết kế dựa trên nhân Ananke mới của ARM. Đây là lõi mang kỳ vọng sẽ thay thế lõi A53 và lõi A17 32 bit với nhiều cải tiến. Ananke vẫn được cấu tạo trên nền kiến trúc big.LITTLE cho phép phân khối khả năng xử lý với ít nhân cho các tác vụ nhẹ để tiết kiệm pin và chạy tối đa toàn bộ nhân khi cần thiết để xử lý các tác vụ nặng.

Về lý thuyết, sử dụng lõi mới trên quy trình công nghệ 10 nm sẽ giúp cho con chip mới của Samsung có thể tăng cường về hiệu năng cũng như tối ưu việc tiêu thụ năng lượng. Hiện tại, mẫu chip cao cấp nhất của Samsung trên Galaxy S6 hay Galaxy Note 5 được sản xuất dựa trên quy trình 14 nm đã mang lại những hiệu quả rõ rệt khi so sánh với các con chip của Qualcomm. Chính vì thế, con chip 10 nm có thể coi là bước tiến công nghệ tiếp theo của hãng trong việc gia tăng sức mạnh phần cứng cho các thiết bị di động.