Giải được bài toán thu nhỏ bóng bán dẫn, Samsung trình làng kế hoạch tiến tới quy trình sản xuất 3 nm
Lộ trình thu nhỏ kích thước chip bán dẫn xuống 3 nm là lời khẳng định sức mạnh công nghệ và vị thế nhà sản xuất chip lớn nhất thế giới hiện tại của Samsung.
- Intel nhảy vào thị trường card đồ họa rời, nguyên mẫu đầu tiên vừa trình làng có 1,5 tỷ bóng bán dẫn
- Nvidia trình làng GPU Volta GV100: 12nm FinFET, 21 tỷ bóng bán dẫn, 5120 nhân CUDA, 16GB HBM2 băng thông 900 GB/giây, hướng tới phát triển AI
- Chỉ 5 năm tới thôi, chúng ta sẽ không thể thu nhỏ bóng bán dẫn thêm được nữa
Trong sự kiện Samsung Foundry Forum 2018 mới đây, hãng bán dẫn đến từ Hàn Quốc đã giới thiệu công nghệ quy trình sản xuất mới nhắm tới các thiết bị tính toán hiệu năng cao cũng như có khả năng kết nối mạnh mẽ.
Kế hoạch sản xuất của Samsung thời gian tới tập trung mang đến cho người dùng sản phẩm tiêu thụ năng lượng hiệu quả hơn đối với hệ thống tích hợp trong một con chip nhằm đáp ứng nhu cầu đa dạng của ngành công nghiệp. Phó giám đốc điều hành kiêm trưởng bộ phận Marketing & Sale mảng chip bán dẫn của Samsung, ông Charlie Bae cho biết: "Để hướng tới một thế giới thông minh và luôn kết nối, thị trường ngày càng yêu cầu nhiều hơn ở những nhà cung cấp chip bán dẫn".
Samsung thể hiện sự dẫn đầu ngành chip bằng kế hoạch thu nhỏ bóng bán dẫn trong vài năm tới
Quy trình công nghệ tiếp theo được Samsung hướng đến ở mức 7 nm Low Power Plus dựa trên kỹ thuật in EUV. Giải pháp 7LPP của Samsung sẽ được bắt đầu đi vào sản xuất nửa cuối năm nay và năng suất hứa hẹn sẽ được nâng lên vào nửa đầu năm 2019.
Tiếp theo, các bóng bán dẫn sẽ được thu nhỏ ở mức 5 nm Low Power Early. Ngay sau đó sẽ là tiến trình 4 nm Low Power Early và Low Power Plus. Ở 4 nm, đây sẽ là quy trình cuối cùng sử dụng công nghệ FinFET. Có thể thấy giữa 4 nm và 5 nm chỉ là một sự cải tiến nhỏ về mặt chuyển đổi tuy nhiên nó vẫn đem lại mức cải thiện hiệu năng đáng kể.
Samsung đã giải được bài toán thu nhỏ bóng bán dẫn để tiến tới quy trình 3 nm
Đỉnh cao nhất trong kế hoạch công bố lần này của Samsung chính là quy trình sản xuất bóng bán dẫn ở mức 3 nm Gate All Around Early/Plus. Với việc sử dụng bóng bán dẫn thế hệ mới giúp giải quyết được vấn đề thu nhỏ chúng hơn nữa mà công nghệ FinFET không thể đạt được. Hãng gọi đây là công nghệ MBCFET hay Multi-Bridge-Channel FET.
Sẽ phải mất vài năm nữa để Samsung hay các nhà sản xuất bóng bán dẫn khác thành công trong việc sản xuất ra con chip ở quy trình 3 nm. Tuy nhiên điều ý nghĩa nhất với người dùng lúc này là có thể yên tâm khi giờ đây đã có giải pháp để tiếp tục thu nhỏ kích thước bóng bán dẫn, từ đó tạo ra những con chip mạnh mẽ, tiết kiệm điện hơn nữa. Dự kiến tấm nền dành cho quy trình 3 nm sẽ sẵn sàng vào năm 2022.
Theo Techspot
NỔI BẬT TRANG CHỦ
Sự thật từ nghiên cứu khoa học: Chơi trò chơi điện tử có ảnh hưởng bất ngờ đến chỉ số IQ của trẻ em!
Trò chơi điện tử từ lâu đã là chủ đề gây tranh cãi khi nhắc đến ảnh hưởng của chúng đối với trẻ em. Trong khi nhiều ý kiến chỉ trích việc chơi game có thể gây hại cho sự phát triển trí não, thì một nghiên cứu khoa học đã mang đến cái nhìn khác biệt, cho thấy mối liên hệ tích cực giữa việc chơi game và sự gia tăng trí thông minh ở trẻ nhỏ.
Những tiểu tiết bạn có thể đã bỏ qua trong trailer The Witcher 4
