Mang sạc dự phòng Xiaomi gen 2 đi đo đạc kiểm tra, phát hiện tính năng "chống nổ" đặc biệt trên máy Samsung

Nhiều ngày qua, cộng đồng công nghệ xôn xao về hàng loạt cảnh báo của người dùng trên mạng xã hội và diễn đàn về việc sạc dự phòng Xiaomi gen 2 gây cháy hỏng IC nguồn điện thoại.

Để cố gắng tìm ra nguyên nhân cụ thể, chúng tôi đã liên hệ với một người dùng từng cảnh báo về việc cháy IC nguồn trên cộng đồng Xiaomi Việt để mua lại viên Pin thủ phạm nhằm điều tra rõ ràng nguyên nhân.

Mổ tung chiếc sạc đang bị tình nghi, câu test point từ chân USB ra và dùng Osiloscope để đo các thông số sạc.

Màn hình đang ở thang 2V trên 1 ô vuông. Hiện tại đang là 5V (2 ô rưỡi) tính từ điểm 0 màu vàng).

Đáng buồn là mọi thông số đo được đều không có gì bất thường, viên pin "thủ phạm" cũng là hàng chuẩn không có dấu hiệu hàng fake hay thay linh kiện gì bên trong.

Dù không có thu hoạch gì về nguyên nhân gây cháy IC nguồn, nhưng trong lúc thử chúng tôi lại vô tình phát hiện một tính năng khá thú vị của chiếc điện thoại Samsung Galaxy S8 được đem ra cắm thử trong lúc đo sạc dự phòng Xiaomi.

Tính năng "chống cháy" đặc biệt vô tình bị phát hiện.

Như trong clip thể hiện, các bạn có thể thấy Xiaomi Mi 4c khi đã nhận Quickcharge và đẩy điện thế lên 9V là sẽ duy trì mức này dù bạn có làm gì đi nữa. Tất nhiên khi sạc nhanh máy sẽ nóng hơn nhiều khi sạc bình thường.

Nhưng ở phía Galaxy S8, Samsung đã âm thầm bổ sung một lớp phòng thủ mà không công bố. Cụ thể là khi cắm sạc S8, màn hình sẽ vẫn báo sạc nhanh, nhưng thực tế trên Osiloscope hiển thị thì S8 chỉ thực sự đẩy điện thế lên 9V khi màn hình tắt, còn khi màn hình đang sáng, máy sẽ chuyển ngay về chế độ sạc bình thường, thậm chí dòng sạc còn bị kéo xuống dưới 1A để đảm bảo máy không nóng. Điều này xảy ra tương tự với Galaxy S7 và S7edge.

Thử nghiệm tương tự trên Sony Xperia XZ một sản phẩm cao cấp khác thì máy vẫn sạc nhanh dù bật hay tắt màn hình.