Western Digital ra mắt bộ nhớ thể rắn 3D NAND BiCS4, hứa hẹn tăng dung lượng ổ SSD lên hàng trăm TB
WD vừa mới giới thiệu công nghệ bộ nhớ mới của mình.
Bất chấp một số vụ scandal liên quan tới Western Digital và Toshiba, cả hai gã khổng lồ này vẫn đang hợp tác với nhau để phát triển một công nghệ bộ nhớ mới. Đó chính là thế hệ thứ 4 của công nghệ bộ nhớ 3D NAND Bit Cost Scaling, hay còn được gọi là BiCS4.
BiCS4 có tới 96 lớp lưu trữ xếp theo chiều dọc, so với công nghệ BiCS3 trước đây chỉ có 64 lớp. Nhờ vậy, các ổ cứng SSD sử dụng bộ nhớ BiCS4 có thể tăng thêm 40% dung lượng lưu trữ.

Chính nhờ phương pháp xếp các lớp lưu trữ chồng lên nhau theo chiều dọc, diện tích của bộ nhớ 3D NAND trên bo mạch được giảm đi đáng kể, cho phép sử dụng nhiều chip nhớ hơn trên cùng một form ổ hay một diện tích quy định trên bo mạch.
Công nghệ BiCS4 cũng cho phép thiết kế các đế chip nhớ với dung lượng từ 256GB cho đến 1TB. Chính công nghệ này sẽ mở đường cho các loại ổ cứng SSD có dung lượng hàng trăm TB trong tương lai.

Hiện tại, WD đã lên kế hoạch sản xuất thử nghiệm bộ nhớ 3D NAND BiCS4 vào cuối năm nay. Tiếp đó sẽ là sản xuất hàng loạt các bộ nhớ 3D NAND BiCS4 sử dụng đế chip 256GB vào năm 2018.
Đến năm 2020, WD sẽ tiếp tục ra mắt công nghệ bộ nhớ BiCS5, với nhiều cải tiến hơn nữa về số lượng lớp lưu trữ và kích thước của các đế chip nhớ.
Danh mục bộ nhớ 3D NAND của WD sẽ được ứng dụng trong cả phân khúc máy tính cá nhân, thiết bị di động, điện toán đám mây và cả các trung tâm lưu trữ dữ liệu khổng lồ.
Tham khảo: digitaltrends
NỔI BẬT TRANG CHỦ
Khổ thân người dùng Galaxy Z Fold6: Mới được 1 năm mà giờ trông như đồ cổ khi đặt cạnh Galaxy Z Fold7
Chỉ sau đúng một năm, Galaxy Z Fold7 đã khiến người dùng Fold6 phải chạnh lòng. Không phải vì Fold6 yếu kém, mà vì thế hệ thứ 7 của dòng điện thoại gập nhà Samsung đã có quá nhiều thay đổi.
Trên tay Galaxy Watch8 và Watch8 Classic: Thiết kế "squircle" mới, tích hợp Google Gemini, hỗ trợ đo sức ép mạch máu và chỉ số chống oxy hóa