Samsung mở rộng 64-layer, 256-Gigabit, 3-bit V-NAND cho tất cả sản phẩm bộ nhớ của công ty

Samsung Electronics đã mở rộng công nghệ 64-layer, 256-Gigabit, 3-bit V-NAND từ ổ cứng trạng thái rắn (SSD) sang bộ nhớ của điện thoại và máy tính cá nhân.

Samsung cho biết V-NAND - thế hệ chip nhớ thứ tư - sẽ chiếm hơn 50% tổng số NAND được sản xuất mỗi tháng của công ty.

Samsung đã bắt đầu cung cấp ổ SSD 64-layer 256Gb V-NAND cho khách hàng doanh nghiệp vào tháng Giêng. Mới đây, công ty nói rằng họ sẽ cung cấp ổ SSD cho người tiêu dùng, thẻ nhớ và ổ nhớ flash cho thiết bị di động.

Các đối thủ như Toshiba cũng đang chuẩn bị cung cấp 64-layer V-NAND, trong khi SK Hynix đang bán ra các sản phẩm 48-layer và sẽ bắt đầu cung cấp ổ nhớ 72-layer vào cuối năm nay.

Samsung cho biết bộ nhớ NAND mới nhất của họ có tốc độ truyền dữ liệu nhanh hơn 30% và tiết kiệm năng lượng hơn so với công nghệ 48-layer trước đây.

Công ty cho tiết lộ họ cũng đã mua lại công nghệ cốt lõi để tăng số lượng các lớp (layer) cho các sản phẩm bộ nhớ trong tương lai.

Các NAND dọc ba chiều đã trở thành tiêu chuẩn ngành công nghiệp trên thực tế, vì việc xếp chồng các ô cho phép dung lượng bộ nhớ cao hơn.

Samsung là công ty đầu tiên sản xuất 3D NAND khi bắt đầu tung ra 24-layer 128Gb multi-layer cell (MLC) 3D V-NAND vào tháng 7 năm 2013. Công ty cho biết họ đã thu thập được hơn 500 bằng sáng chế trong 15 năm nghiên cứu về công nghệ này.

Vị trí thống trị trong ngành công nghiệp chip nhớ mang về cho gã khổng lồ công nghệ Hàn Quốc một nguồn thu khổng lồ.

Tham khảo: ZDNet