Xuất hiện cấu hình SSD Intel sử dụng công nghệ 3D XPoint: dung lượng 375GB, tốc độ đọc 2400MB/giây
Dù tốc tốc độ đọc/ghi tuần tự không nổi trội, độ trễ thấp và sự bền bỉ có lẽ là điều Intel nhắm tới.
2 năm trước, Intel và Micron đã công bố 3D XPoint, công nghệ lưu trữ thể rắn tốc độ cao mới. Thời gian trôi đi và đến giờ vẫn chưa có một sản phẩm ứng dụng công nghệ này xuất hiện trên thị trường. Tuy nhiên, sau nhiều chờ đợi, SSD sử dụng công nghệ 3D XPoint đầu tiên dự kiến sẽ xuất hiện trên thị trường trong năm nay.
Dưới thương hiệu mới Optane, chiếc SSD đầu tiên ra mắt sẽ có tên mã Intel SSD DC P4800X dung lượng 375 GB, sử dụng chuẩn kết nối PCIe NVMe với kích thước chỉ bằng một nửa so với các SSD NVMe thông thường. Các phiên bản 750 GB và 1,5 TB của Optane cũng sẽ sớm được ra mát.
Thông số cơ bản:
-Dung lượng: 375 GB
-Công nghệ chip nhớ: 3D XPoint
-Tốc độ đọc/ghi tuần tự: 2400/2000 MB/giây
-Tốc độ đọc/ghi 4K ngẫu nhiên: 550.000/500.000 IOPS
-Tuổi thọ: 12,3 PB ghi
-Điện năng tiêu thụ: 18W
Khi ra mắt 3D XPoint, Intel từng hùng hồn tuyên bố công nghệ này sẽ nhanh và bền gấp 1000 lần NAND Flash, nhiều bóng bán dẫn gấp 10 lần DRAM. Các thông số nghe có vẻ rất hoành tráng nhưng thực tế sẽ khiến khá nhiều người thất vọng.
Tốc độ đọc 2400 MB/giây là cao nhưng chưa phải là nhất. Chính chiếc SSD DC P3700 ra mắt từ 2014 của Intel sử dụng chip nhớ NAND đã có tốc độ đọc tới 2800 MB/giây. Hay như dòng 960 EVO của Samsung vốn dành cho người dùng phổ thông còn có tốc độ đọc 3200 MB/giây.
Tốc độ ghi của Optane có vẻ là một điểm sáng. Dù dung lượng chỉ 375 GB, tốc độ ghi của nó đạt 2000 MB/giây. Samsung 960 EVO với dung lượng gần nhất, 250 GB cũng chỉ đạt 1500 MB/giây trong khi P3700 của Intel đạt 1080 MB/giây ở dung lượng 400 GB.
Cơ mà thế thì hiệu năng gấp 1000 lần ở đâu? Điểm khác biệt duy nhất có lẽ là độ trễ và số lệnh nhập/xuất (IOPS - input/output operation per second) mỗi giây mà SSD Optane có thể thực hiện. P4800X có thể đạt 550.000 đọc và 500.000 ghi mỗi giây. Con số này của P3700 lần lượt là 450.000 đọc và 175.000 ghi. Samsung 960 EVO 250GB trong khi đó đạt 330.000 lệnh đọc và 360.000 lệnh ghi mỗi giây.
Không những thế, độ trễ của công nghệ 3D XPoint cũng khá ấn tượng. Với Intel P3700 sử dụng NAND Flash, độ trễ trước khi thực hiện lệnh đọc hay ghi là 20 micro giây. Con số này được giảm xuống một nửa, 10 micro giây ở P4800X.
Ngoài ra, một chiếc SSD chỉ chạy ở tốc độ nhanh nhất khi có một số lượng IOPS tối thiểu. Bởi vậy, khi sao chép những file nhỏ với số lượng thấp, tốc độ của SSD chưa chắc đã đạt được mức quảng cáo của nhà sản xuất. Với Optane, Intel hứa hẹn mang đến hiệu năng cao nhất kể cả với những tác vụ nhỏ, giúp cho bạn có thể đạt được hiệu năng cao nhất nhiều hơn khi sử dụng SSD NAND Flash.
Một cải tiến khác của công nghệ 3D XPoint mới là độ bền. Tuổi thọ ghi của Intel P3700 400 GB chỉ là 7,3 PB. Trong khi đó, Samsung 960 EVO 250 GB chỉ được đảm bảo tuổi thọ ghi ở mức 0,1 PB. Điều này được lí giải bằng sự khác biệt của 2 phân khúc ổ cứng doanh nghiệp và phổ thông. Intel P4800X được hứa hẹn có tuổi thọ ghi lên tới 12,3 PB, sẵn sàng cho mọi nhu cầu hoạt động nặng nhất của các máy chủ lớn.
Dù có cải tiến so với các SSD NAND Flash, 3D XPoint của Intel vẫn chưa thực sự tạo ra bước nhảy vọt về công nghệ như lời quảng cáo cải thiện gấp 1000 lần của mình.
Là công nghệ mới, 3D XPoint hiện đang gặp phải một vấn đề cố hữu là chưa được tối ưu hóa. Điều này dẫn đến việc điện năng tiêu thụ của Intel P4800X lên tới 18W, khá cao so với 12W của P3700 hay 5,3W của Samsung 960 EVO. Nếu tính đến hiệu suất, có lẽ giải pháp sử dụng nhiều SSD NAND vẫn tối ưu hơn nhiều.
Hiện tại giá bán và ngày lên kệ của P4800X vẫn chưa được công bố. Với việc các chipset cho Kaby Lake được chứng nhận “Optane Ready”, chiếc SSD này hứa hẹn sẽ được ra mắt trong vài tháng tới. Intel cũng được cho là đang có kế hoạch sản xuất phiên bản M.2 của dòng Optane SSD này.
Tham khảo ArsTechnica
NỔI BẬT TRANG CHỦ
Sự thật từ nghiên cứu khoa học: Chơi trò chơi điện tử có ảnh hưởng bất ngờ đến chỉ số IQ của trẻ em!
Trò chơi điện tử từ lâu đã là chủ đề gây tranh cãi khi nhắc đến ảnh hưởng của chúng đối với trẻ em. Trong khi nhiều ý kiến chỉ trích việc chơi game có thể gây hại cho sự phát triển trí não, thì một nghiên cứu khoa học đã mang đến cái nhìn khác biệt, cho thấy mối liên hệ tích cực giữa việc chơi game và sự gia tăng trí thông minh ở trẻ nhỏ.
Trải nghiệm game trên Mac mini M4 Pro: Cậu bé tí hon bước ra biển lớn gaming